两步湿氧法制备硅微尖阵列工艺研究

摘要：

本文阐述了硅微尖阵列的制备工艺。实验以直径4英寸的n型(100)晶向的硅片为基片,首先在硅片表面氧化生成一层厚度为250nm的二氧化硅掩蔽层,利用接近式光刻及反应离子刻蚀(RIE)得到边长为4um,间距为6um的硅柱。利用两步湿氧法对硅柱进行氧化削尖,最终得到尖锥曲率半径约为450nm的硅微尖阵列。

关键词： 半导体器件 硅锥尖阵列 氧化削尖 刻蚀工艺

作者: 陈艳 吴孟强 张树人

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会2009年学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 189

在线出版日期: 2009-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）