100lm/W照明用LED大功率芯片的产业化研究
本研究基于蓝宝石图形衬底(PSS)制备GaN基40mil功率型LED芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内,半峰宽接近20nm,LED功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01mA下有良好的点亮效果,没有暗区,器件在350mA下发光效率达104lm/W,并能够满足3W的应用市场,此外,器件具有良好的可靠性和稳定性,350mA和700mA下老化1,000hr光衰分别为-0.4％和2.8％,并成功解决了产业化的关键技术。
蓝宝石图形化衬底 发光二极管 发光效率 电流扩展效应 光电性能
董志江 靳彩霞 杨新民 艾常涛 何建波 易贤 李鸿建
武汉迪源光电科技有限公司,湖北 武汉 430074
国内会议
武汉
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196-200
2010-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）