硅材料中氮化硅盖帽层引入应力的研究

摘要：

针对局部产生应力的应变硅技术，本文采用高频PECVD方法，在硅基片上分别淀积不同厚度的氮化硅膜，通过商分辨XRD对以上样品进行摇摆率测试，证实了采用该方法能在硅材料中引入压应力，并且得到应力大小随厚度的变化关系。

关键词： 硅材料 工艺诱生应力 氮化硅盖帽层 摇摆率测试

作者: 全冯溪 杨阳 李竞春

作者单位: 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 17-18

在线出版日期: 2009-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）