基于STI的Si材料应力引入技术研究

摘要：

针对应变硅材料制备复杂的现象，研究了一种基于常规Si工艺的浅槽隔离(STI)技术引入应力，并进行了扫描电子显微镜(SEM)，高分辨X射线双品衍射(HXRD)测试。测试结果表明：该实验确实在材料中引入了与分析相同的应力，即压应力，并且证明压应力与STI槽间距成反比。

关键词： 浅槽隔离 硅材料 高分辨X射线双品衍射 应力引入

作者: 杨阳 全冯溪 李竞春

作者单位: 电子科技大学 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 19-21

在线出版日期: 2009-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）