铁电薄膜反应离子刻蚀的研究
该文利用反应离子刻蚀装置，研究了磁控溅射工艺制备的PZT薄膜在SF6/Ar等离子气体中的刻蚀情况。通过控制变量法，得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线。结果表明，随着射频功率的增加，刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快，压强超过一定值时，刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时，随气体流量的增加而加快，在较大的气体流量下反而降低。通过比较不同条件下的刻蚀结果，得到了刻蚀PZT的优化工艺条件。
铁电薄膜 PZT反应离子刻蚀 刻蚀速率 工艺条件
赵鹏 杨成韬 霍伟荣 江政
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054
国内会议
成都
中文
25-28
2009-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）