会议专题

4H-SIC阳极凹槽肖特基二极管耐压与凹槽深度的关系

本文对一种阳极凹槽肖特基二极管进行了研究。器件反偏时,阳极凹槽引入的横向电场可以加快漂移区耗尽,降低阳极电场,从而可以提高器件的击穿电压。通过器件仿真,从耐压的角度,对阳极凹槽深度进行了优化。当阳极凹槽深度为0.7μm时,阳极凹槽肖特基二极管能够获得最大击穿电压为1173V。

半导体器件 肖特基二极管 阳极凹槽 击穿电压

蒋辉 叶毅 罗小蓉

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

国内会议

2009四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会

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29-32

2009-11-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)