Q-t曲线少子寿命测试方法的仿真验证

摘要：

本文主要介绍了一种MIS结构在外加脉冲电压时从深耗尽态恢复到平衡态时栅电极上电荷与时间的关系来求得衬底的少了寿命的方法。本文从基本物理图像出发，介绍了该方法的基本理论依据，然后用MEDICI对该方法进行了验证，证明其能够得到比较精确的少子寿命。最后，给出了一种在实际便于芯片级测试的测试结构。

关键词： 半导体器件 少子寿命 Q-t曲线 芯片级测试

作者: 蒋其梦 朱旭强

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 33-36

在线出版日期: 2009-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）