一种集成VDMOS的漏极槽引出方法

摘要：

功率集成电路需要在一块芯片上集成低压控制电路和集成功率器件。与常规的分离VDMOS器件从底部引出漏极不同的是，集成的VDMOS的漏极需要从芯片表面引出，故需要考虑N型埋层与sink引出电阻对导通电阻的影响。本义提出了一种通过刻槽、侧壁斜角注入形成sink的方法，与传统的sink扩散的方法相比，该方法可有效的减少sink电阻，减小sink横扩，减少热过程时间。

关键词： 功率集成电路 VDMOS器件 漏极槽 引出方法 sink扩散

作者: 尹德杨 方健 黎育煌

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件实验室 四川 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 50-52

在线出版日期: 2009-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）