一种带有SJ浮空层槽栅场阻IGBT

摘要：

本文提出一种新型的TIGBT结构，与传统的TIGBT器件相比它的不同之处在于：在漂移区(N-drift)与场阻层(Field-Stop/N-buffer)之间插入SJ(Super Junction)浮空层。基于此创新，通过仿真发现新结构阻断电压高、关断时间短。SJ浮空层的引入对器件总体性能的提高起了极大的作用。

关键词： TIGBT器件 槽栅结构 场阻层 SJ浮空层 阻断电压 关断时间

作者: 叶俊 乔明 傅达平

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054 电子科技大学微电子研究所 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 56-60

在线出版日期: 2009-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）