一种低功耗快速瞬态响应的全片内LDO稳压器
提出了一种低功耗，快速瞬态响应的全片内低压差线性稳压器(LDO)，通过采用新颖的自适应摆率增强偏置结构，其瞬态响应得到了极人改善。与常见的摆率增强结构相比，此结构不受器件阈值与电源电压范围限制，不产生静态功耗或影响正常的环路响应。该LDO采用CSM 0.13um CMOS工艺实现，片上电容为300pF，核心电路静态功耗小于5uA，自适应摆率增强偏置部分仅占整个版图面积的4％。HSPICE仿真结果表明，采用该结构LDO在100ns内全输出范围(0~2mA)电流改变引起的最大欠冲电压小于200mV，而未采用该结构最大欠冲电压大于700mV。
低压差线性稳压器 快速瞬态响应 环路响应 自适应摆率
陈悦 陈君 罗萍
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054
国内会议
成都
中文
180-184
2009-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）