一种基于BiCMOS工艺的过温保护电路
本文研究了一种新型的过温保护电路,利用品体管PN结的导通压降随温度升高而降低的特性,设计了集成于电源管理芯片内部的温度传感器,实现了过温保护,并通过反馈设置了迟滞功能,从而避免了在过热温度点的反复振荡,采用0.6μm BiCMOS工艺,运用HSPICE仿真工具对电路进行仿真验证,结果表明该电路能很好的起到过热保护功能,并且有20℃的迟滞量。
BiCMOS工艺 过温保护电路 迟滞功能
易长根 封鲁平 张树晓 刘鹏 李强
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054
国内会议
成都
中文
246-249
2009-11-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)