基于LVTSCR的栅氧化层ESD保护

摘要：

本文应用medici仿真工具，分析了ESD防护电路中常用的低压触发可控硅(LVTSCR)结构，讨论了几种影响性能的主要因素，同时在特定CMOS工艺下设计了开启电压为16V的LVTSCR结构，最后进一步优化器件结构并在4000V人体放电模型(HBM)下仿真，结果显示能对击穿电压超过20V的栅氧起到有效的保护作用。

关键词： ESD防护 栅氧化层 低压触发可控硅 CMOS工艺

作者: 朱旭强 朱利恒

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 306-309

在线出版日期: 2009-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）