具有分段线性补偿的低温漂带隙基准电路
针对带隙基准电路中正偏BE结的负温特性随温度的增加越来越明显的特点,在温度升高时,增加另一股PTAT 电流对负温特性进行补偿,以改善基准的温漂特性。基于NEC0.6um-NMOS工艺,用Hspice进行,仿真结果表明该电路在温度-40℃-200℃变化时,温度系数为0.9ppm/℃。
分段线性补偿 温度系数 带隙基准电路
封鲁平 易长根
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054
国内会议
成都
中文
368-371
2009-11-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)