光纤光栅相位掩模的研制
利用全息-离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的新方法，制作了周期为1069nm、占宽比为0.41、槽深为268nm的光纤光栅相位掩模和中心周期为1000nm、啁啾率1nm／mm、有效面积为100mm×10mm的线性啁啾相位掩模。发现先用短时间Ar离子束刻蚀对光刻胶光栅掩模槽形进行修正，然后采用CHF3反应离子束刻蚀，能得到更合适的占宽比，从而确定了刻蚀新工艺。实验测量表明它们的零级衍射效率小于2％，正负一级衍射效率大于35％，对于线性啁啾相位掩模其最大非线性系数为1.6％。理论分析表明这两种相位掩模均满足制作光纤光栅的需要。
光纤光栅 相位掩模 离子束刻蚀 衍射效率 刻蚀工艺
刘全 吴建宏 汪海宾 方玲玲 杨卫鹏 李朝明 陈新荣
苏州大学 信息光学工程研究所,江苏 苏州 215006
国内会议
南京
中文
57-63
2009-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）