电子束蒸发制备立方氮化硼薄膜的表面分析

摘要：

介绍了用电子束蒸发法制备c-BN薄膜,通过FTIR分析得出制备的薄膜是富硼氮化硼薄膜。选定样品进行退火处理,退火温度为800℃,退火时间为1h,得到薄膜中的立方相在经过退火处理后有所增加。同时对样品XPS研究发现,在没有退火前的样品是富硼氮化硼,在退火后薄膜样品中的氮硼比也迅速升高。XPS的研究和FTIR的研究得到的结果基本吻合。

关键词： 电子束蒸发法 立方氮化硼薄膜 退火处理

作者: 汪旭洋 邓金祥 赵卫平 杨冰 郭清秀 杨萍

作者单位: 北京工业大学 应用数理学院，北京 100124

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009全国功能材料科技与产业高层论坛

会议地点: 江苏镇江

会议语种:中文

页码: 783-785

在线出版日期: 2009-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）