铁电薄膜场效应晶体管存储器件的失效机制及器件力学
基于偶极子翻转理论,通过对薄膜中偶极子的统计分布函数进行积分的方法,改进经典的Preisach模型。由于改进的模型具有历史电场效应,可以用较少的参数方便、准确地仿真薄膜的电滞回线。结合金属-氧化物-半导体(MOS)结构的半导体物理理论,建立了一种描述金属-铁电层-绝缘层-半导体(MFIS)结构电学性能的方程。以Pt/SrBi2Ta2O9(SBT)/ZrO2/Si和Pt/Bi3.25La0.75 Ti3O12(BLT)/MgO/Si两种结构为例,模拟了不同的铁电层厚度和绝缘层厚度对两种结构电容一电压(G-V)特性和记忆窗口的影响。模拟结果和实验结果能够较好的符合,从而表明改进的模型能够较好地模拟MFIS结构的G-V特性和记忆窗口。发展了金属-铁电-绝缘体-半导体场效应晶体管(MFIS-FET)模型,并用来研究铁电一电极界面效应。通过假设界面层具有二级介电/铁电相,模拟了铁电晶体管的G-V,I-V和半导体的表面势。模拟的结果显示,当界面层厚度增加时,MFIS-FET的电性能会变坏,说明界面层厚度起了重要的作用。
铁电薄膜 MFIS多层结构 铁电存储器 场效应晶体管 失效机制 电极界面效应
周益春 杨锋 孙静 张军
湘潭大学 低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湖南 湘潭 411105
国内会议
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17-24
2009-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）