缓冲层对Au膜电阻率的影响
采用磁控溅射方法,在Al2O3基体上沉积纯Au膜和具有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层金属膜。利用四点探针法测试退火前后纯Au膜及有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层金属膜表面电阻率的变化。结果表明,对于纯Au膜来说,在沉积态,随着沉积温度的升高,电阻率下降,180℃沉积温度以上,电阻率随沉积温度变化不大,退火后,Au膜电阻率均下降,在试验范围内趋于稳定值2.6μΩ·cm。在相同的沉积温度下,有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层膜的电阻率均比纯Au膜高,在300、400和500℃退火1h后,有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层膜电阻率均出现异常增大。
Au薄膜 缓冲层 电阻率 磁控溅射法
唐武 殷学松 邓龙江
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054
国内会议
江苏镇江
中文
39-41
2009-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）