采用Cu/NH4SCN固液界面反应制备基于CuSCN的电双稳薄膜
报导了利用Cu和NH4SCN的固-液界面反应在铜表面原位生长CuSCN薄膜的方法。使用激光拉曼光谱、X射线多晶衍射谱(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对CuSCN薄膜进行表征。实验证明,Al/CuSCN/Cu器件具备双极型的电存储特性,在脉冲电压下能够实现连续反复擦写,高低状态比达到104,并在长时间读电压下保持稳定,具备应用于非易失性存储器的潜力。
固液界面反应 CuSCN薄膜 可逆电双稳特性 非易失存储 原位生长 激光拉曼光谱
季欣 董元伟 徐伟
复旦大学 材料科学系,上海 200433
国内会议
江苏镇江
中文
50-52
2009-11-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)