集成电路亚45nm级铜布线扩散阻挡层WN薄膜的研究
WN薄膜可以作为超大规模集成电路Cu布线互连材料使用。利用磁控溅射技术制备WN/Cu/WN/SiO2/Si薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、四探针测试仪、薄膜测厚仪等研究多层膜的成分、电阻率和膜厚。考察亚45nm级工艺条件下WN薄膜对Cu的扩散阻挡性能。实验结果表明,650、600和500℃分别是氢气气氛、氮气气氛和氧气气氛条件下WN薄膜可以保持良好的铜扩散阻挡性能的最高温度。当温度超过其相应最高温度时,多层膜的电阻率急剧增大至超出量程,且形成CuO物质,从而使WN薄膜对铜的扩散阻挡能力失效。
WN薄膜 磁控溅射 互连阻挡层 超大规模集成电路 扩散阻挡性能
张伟强 陈秀华 项金钟 王莉红
云南大学 物理科学技术学院材料科学与工程系,云南 昆明 650091
国内会议
江苏镇江
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68-70
2009-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）