会议专题

高声速SAW复合压电薄膜研究

本文阐述了高声速SAW复合压电薄膜材料SiO2/Al/ZnO/IDT/金刚石/Si的研究进展情况,给出了该复合结构压电材料的制作方法和实验结果。φ2”金刚石/Si材料表面粗糙度达到0.89nm,金刚石膜晶粒粒度在5~10 μm范围。ZnO膜体电阻率ρ,达到1.9×109 Ω.cm。ZnO薄膜C轴垂直取向度2σ达到2.7°。用该压电材料制作出了SAW滤波器,西沙瓦(Sezawa)波模式相速度Vp达11106m/s,器件频率达到3.1GHz。

高声速SAW 复合压电薄膜材料 西沙瓦波模式 表面粗糙度 SAW滤波器

陈运祥 谭学斌 唐代华 李洪平 李燕 赵雪梅 张永川

中国电子科技集团公司第26研究所,重庆 400060

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2009年中国西部地区声学学术交流会

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101-104

2009-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)