支持层结构对薄膜体声波谐振器谐振特性的影响

摘要：

首先推导出了加入材料介质声损耗的一维Mason模型,并利用该模型分析了支持层结构对FBAR器件谐振特性的影响,包括不同支持层材料及厚度对FBAR器件性能的影响。相对于二氧化硅薄膜而言,氮化硅薄膜更适合于作为FBAR器件的支持层;而随着氮化硅薄膜厚度的增加,FBAR器件的频率下降而Q值和Qf乘积变大,且二次谐波得到加强。

关键词： 射频微机电系统 薄膜体声波谐振器 支持层结构 高Q值 声损耗 Mason模型

作者: 汤亮 郝震宏 乔东海

作者单位: 中国科学院声学研究所,声学微机电系统实验室,北京 100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009年中国西部地区声学学术交流会

会议地点: 西双版纳

会议语种:中文

页码: 178-181

在线出版日期: 2009-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）