超大规模集成芯片中低压差稳压电路的改进

摘要：

LDO型稳压电路是植入式VLSI设计中核心电路，易受环境温度、输入电压的影响，输出多不稳定。针对现有的VLSI芯片稳压电路输出不稳定的问题，提出该电路具有降压和稳压两个工作区域，并且找到输入阈值电压。

关键词： 超大规模集成芯片 LDO型稳压电路 带隙基准 VLSI设计

作者: 王星 彭承琳

作者单位: “生物流变科学与技术”教育部重点实验室 重庆大学生物 工程学院,重庆 400044 重庆大学生物医学工程系,重庆 400044

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009中国仪器仪表与测控技术大会

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 218-221

在线出版日期: 2009-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）