α-Mg3Sb2的电子结构和力学性能

摘要：

运用第一性原理研究了Mg-Sb合金中典型沉淀相α-Mg3Sb2的几何、电子结构和力学性能。结构优化得到的晶格常数和形成能与实验值符合很好。电子结构分析表明,具有半导体性质的α-Mg3Sb2带隙为0.303 eV,是间接带隙半导体。通过计算得到了α-Mg3Sb2的弹性常数,进而得到模量、泊松比等力学参数,对力学参数进行分析发现,α-Mg3Sb2有很好的延展性而塑性相对较差。通过对α-Mg3Sb2施加应变前后态密度的变化分析,发现对于六角结构的α-Mg3Sb2,与剪切模量相关的C11+C12,C33/2和与体模量相关的C11+C12+2C13+C33/2对体积变化不保守,而(C11-C12)/4和C44对体积变化保守。

关键词： 第一性原理 电子结构 力学性能 Mg-Sb合金 沉淀相

作者: 余伟阳 唐壁玉 彭立明 丁文江

作者单位: 湘潭大学材料与光电物理学院,低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭,411105 湘潭大学材料与光电物理学院,低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭,411105;广西大学化学与化工学院,南宁,530004 上海交通大学材料科学与技术学院,轻合金精密成型国家工程研究中心,上海,200030

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008中国材料研讨会—计算材料分册

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 216-223

在线出版日期: 2008-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）