镜像势对碳纳米管阵列场发射特性的影响

摘要：

采用多尺度量子化学方法模拟了碳纳米管阵列的场发射特性。碳纳米管镜像势的作用可以等效地用原子尺寸的理想金属球的镜像势来代替。模拟计算结果表明,考虑了镜像势作用后的碳纳米管阵列发射电流密度比没有考虑镜像势的结果增大了约6倍。

关键词： 镜像势 碳纳米管 场致发射 电流密度

作者: 何春山 王伟良 陈桂华 李志兵

作者单位: 中山大学物理科学与工程技术学院,光电材料与技术国家重点实验室,广州,510275 东莞理工学院电子工程学院,东莞,523808

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008中国材料研讨会—计算材料分册

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 241-245

在线出版日期: 2008-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）