碳掺杂硼氮纳米管电子场发射的第一性原理研究

摘要：

对闭口硼氮纳米管(BNNT)顶层掺碳体系,运用第一性原理研究了电子场发射性能。结果表明,掺碳的BNNT体系电子结构变化显著;外电场愈强,体系态密度向低能端移动幅度愈大,且最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO)能隙愈小。体系态密度和局域态密度,HOMO和LUMO及其能隙分析一致表明,各种碳掺杂体系中CeqBNNT的场发射性能最佳。

关键词： 硼氮纳米管 碳掺杂 第一性原理 电子结构 电子场发射

作者: 陈国栋 王六定 安博 杨敏

作者单位: 西北工业大学应用物理系,西安,710072

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008中国材料研讨会—计算材料分册

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 254-258

在线出版日期: 2008-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）