转移矩阵理论及其在Ⅲ/Ⅴ族半导体量子阱体系中的应用
应用转移矩阵方法求解三种不同量子阱体系中基于单带有效质量模型和包络函数近似下的一维定态薛定谔方程。首先,通过比较Ⅰ型单量子阱GaAlAs/GaAs/GaAlAs体系的解析解和数值解,该方法的精确性得到了验证。其次,与Ⅱ型断代量子阱AlSb/InAs/GaSb/AlSb系统的光致发光谱实验结果比较证实了该方法的适用性。最后,利用该方法推广计算了基于GaAs/GaAlAs材料的Ⅰ型耦合多量子阱体系的子带能级和波函数,说明了方法的通用性和实用性。
转移矩阵 光致发光 半导体量子阱 波函数 子带能级
李龙龙 徐文 曾雉
中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室,合肥,230031
国内会议
广州
中文
266-271
2008-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）