会议专题

空气环境下退火温度对连续SiC自由膜结构与发光特性的影响

采用熔融纺膜与先驱体转化法相结合制备出连续SiC自由薄膜,研究薄膜在1300,1400,1500℃温度下空气退火处理的氧化行为,以及退火温度对薄膜微观结构、光致发光特性(PL)、硬度和电阻率的影响。 结果表明,SiC薄膜在1300℃具有较佳的抗氧化和发光特性,随着退火温度的升高,薄膜的抗氧化和发光特性略有降低,薄膜中无定型SiOxCy减少,β-SiC晶粒长大及游离碳增多,薄膜表面硬度与电阻率下降,表面惰性致密氧化层的生成保护阻挡氧扩散,从而有效减缓薄膜进一步被氧化。

SiC自由薄膜 抗氧化性 退火温度 发光特性

姚荣迁 冯祖德 林宏毅 张冰洁 余煜玺

厦门大学 福建省特种先进材料重点实验室,福建 厦门 361005 厦门大学材料学院,福建 厦门 361005 厦门大学化学化工学院,福建 厦门 361005 厦门大学 福建省特种先进材料重点实验室,福建 厦门 361005 厦门大学材料学院,福建 厦门 361005

国内会议

2008中国材料研讨会—中美材料国际研讨会

重庆

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241-244,249

2008-06-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)