电子元器件内引线键合失效模式及机理研究

摘要：

本文结合近年来破坏性物理分析(DPA)及失效分析工作的实践,介绍了电子元器件内引线键合失效的主要模式：金铝化合物引起失效；键合丝腐蚀失效；内涂料引起键合丝断裂失效；键合应力过大造成失效；管壳镀层质量造成的键合失效；工艺差错造成的键合失效,并对其形成机理进行分析,同时给出典型案例图片,从设备、芯片A1层、引线、外壳质量和键合工艺及环境等方面提出工程改进措施。

关键词： 电子元器件 内引线 失效模式 键合工艺 破坏性物理分析

作者: 孙永玲 刘越 邵觉晴

作者单位: 航天科工集团二院二○一所

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国国防科技质量与可靠性高峰论坛

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 231-235

在线出版日期: 2010-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）