一种基于Au-In共晶的低温键合技术

摘要：

介绍了Au-In键合在MEMS芯片封装中的应用。据现有的工艺设备和实验条件对制备铟凸点阵列进行了工艺设计,对铟凸点制备技术进行了研究,最终在硅圆片上制备了6μm高的铟凸点阵列。在150～300 ℃下成功地进行了Au-In倒装键合实验。在300 ℃,0.3MPa压力下键合的剪切强度达到了5MPa。

关键词： MEMS器件 芯片封装 铟凸点阵列 Au-In共晶 低温键合 剪切强度

作者: 陈明园 秦明 李俊武

作者单位: 东南大学MEMS教育部重点实验室,江苏南京,210096

会议类型: 国内会议

会议名称: 第11届全国敏感元件与传感器学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 205-207

在线出版日期: 2009-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）