退火温度对Al、Cu、Ni诱导Si薄膜晶化进程的影响

摘要：

基于金属诱导晶化方法，利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al-Si、Cu-Si和Ni-Si薄膜。采用真空退火炉和X射线衍射仪于不同温度下对样品进行了退火实验并分析了退火后薄膜物相结构的变化规律。结果表明：Al诱导Si薄膜晶化的效果最好，Cu次之，Ni诱导Si薄膜晶化的效果较差；Al可在退火温度为400℃时诱导Si薄膜晶化，且随退火温度的升高Si的平均晶粒尺寸增大；Cu-Si薄膜的内应力较大和Ni/Si界面处难以形成NiSi2是Cu、Ni诱导Si薄膜晶化效果较差的主要原因。

关键词： 退火温度 硅薄膜 金属诱导晶化 物相结构 变化规律

作者: 蒋百灵 李洪涛 杨波 曹政 苗启林

作者单位: 西安理工大学材料科学与工程学院,陕西 西安 710048

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国热处理活动周

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 124-127

在线出版日期: 2009-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）