使用压敏电阻的超导储能磁体失超保护方法

摘要：

高功率密度超导脉冲源所用1MJ高储能密度超导储能磁体对失超保护有较高要求,不但要求失超保护电路安全可靠,而且要有较高的释能效率.本文对各种失超保护释能电路进行了详细的分析,决定在失超保护释能电路中采用ZnO压敏电阻,这种新颖的方法不但使失超保护电路变得更加简单,而且使得超导磁体释能时,两端的电压能够维持在ZnO压敏电阻的击穿阈值电压以上,这样极大地加速了超导磁体电流的衰减速度,提高了释能效率,减小了失超区的温升.

关键词： 超导储能磁体 失超保护 ZnO压敏电阻 释能效率 击穿阈值

作者: 陈顺中 王秋良

作者单位: 中国科学院应用超导重点实验室,中国科学院电工研究所,北京 100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届超导学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 209-213

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）