在蓝宝石基片上采用CeO2作为缓冲层制备Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜
本文报道在蓝宝石基片上采用CeO2作为缓冲层制备TI2Ba2caCu2O8超导薄膜.采用射频磁控溅射的方法生长CeO2缓冲层,分别使用了氧化铈和金属铈作为溅射靶材.测试结果表明,在最优化生长条件下都可以生长出高度c轴取向的CeO2缓冲薄膜,且具有很好的结晶质量和表面形貌,采用金属铈溅射靶具有较高的溅射速率. 利用DC磁控溅射和后热处理的方法在缓冲层上制备了TI-2212超导薄膜.超导薄膜具有致密的结构和均匀的表面形貌.X射线θ～2θ扫描、ω扫描和φ扫描结果表明,薄膜具有非常纯的TI-2212相,为高度的c轴取向且外延生长在CeO2缓冲层上.电磁测试结果表明,薄膜具有良好的超导电性,临界转变温度Tc约104K,临界电流密度Jc(77K,0T)约为3MA/cm2,微波表面电阻Rs(77K,10GHz)约390μΩ。
T1-2212超导薄膜 氧化铈缓冲层 蓝宝石基片 射频磁控溅射 后热处理 临界电流密度
游峰 季鲁 谢清连 王争 赵新杰 方兰 阎少林
南开大学信息技术科学学院电子信息科学与技术系 天津 300071
国内会议
北京
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264-267
2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）