TaN薄膜应变计
介绍了适合工作在恶劣环境下的TaN薄膜应变计的特性。应变计通过中频反应磁控溅射沉积在镀有多层过渡层的金属基片上。主要研究了生长参数对TaN薄膜的微观结构,TaN薄膜应变计的电阻温度系数以及应变因子的影响。研究结果显示：氮分压和基片温度是影响TaN薄膜的微观结构及TaN薄膜应变计的应变因子的两个主要因素,随着氮分压从5％上升到60％,所制备TaN薄膜的结构由面心立方TaN逐渐过渡到六角Ta5N6；随着基片温度的增大,应变计的电阻温度系数的绝对值减小。
TaN薄膜应变计 磁控溅射沉积 电阻温度 应变因子 氮分压
刘斐然 汪振中 刘兴钊
电子科技大学 微电子与固体电子学院,四川 成都 610054
国内会议
北京
中文
262-265
2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）