應用於超寬頻的20-30GHz CMOS收發切換開關

摘要：

本研究的电路系采用ADS(Advanced Design System)软体进行模拟并且利用TSMC标准CMOS0.18μm1P6M制程，完成设计与实现一具有高隔离度及低插入损耗之20GHz～30GHzCMOS收发切换开关，并应用於超宽频(Ultra-Wideband,UWB)。此收发切换开关为对称性设计，故量测时以单一模式进行，其模拟结果为返回损耗-13dB～-21.5dB、插入损耗-2.5dB～-2.9dB、隔离度-20dB～-30.8dB、1dB增益压缩点18dBm～24dBm，晶片面积0.651x0.671mm2。

关键词： 高隔离度 插入损耗 CMOS工艺 收发切换开关 TSMC标准

作者: 張淳毅 許慧貞 戴世旻 馮武雄

作者单位: 長庚大學 電子所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009海峡两岸三地无线电科技研讨会暨博士生学术会议

会议地点: 天津

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2009-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）