運用於砷化鎵製程之一種新型微小化、高耦合量方向耦合器的設計研究
本文提出一种新型的设计方式来改善传统设计方向耦合器占用面积过大及受制程限制不易达成高阻抗及高耦合量的问题：首先，运用一种新型的二维(two-dimensional,2-D)近横向电磁模(quasi-TEM)传输线(transmission line,TL)—一种由微带线(microstripline,MS)与共平面波导(Co-planar Waveguide,CPW)合成的传输线结构，来设计此种砷化镓薄膜制程之高特性阻抗传输线及微小化方向耦合器，其电路紧凑地布局相当利於系统电路的整合缩装设计；之後，采用一种边缘耦合与垂直耦合)混合的耦合机制，来提高耦合量且同时满足相关制程设计要求(Designrules)，设计出微小化、高耦合量之方向耦合器。相关设计系采用三维(3-D)电磁全波(EMFull–Wave)有限元素法)来模拟分析，并采用WIN0.15μmGaAsPHEMT(PHEMT)制程来实现，进一步验证此耦合架构的可行性。
砷化镓薄膜 金属氧化物半导体 方向耦合器 近横向电磁模 二维传输线 有限元素法
陳志強 何紹安
逢甲大學 電機工程學系
国内会议
天津
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2009-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）