退火温度对磁控溅射ZnO:Al(ZAO)薄膜性能的影响

摘要：

采用低温直流反应磁控溅射法在80℃玻璃衬底上制备ZnO:Al(ZAO)薄膜,对制备的薄膜进行不同温度的真空退火处理。采用XRD,SEM,四探针测试仪等设备对经过退火ZAO薄膜的结构,表面形貌,电阻率,透过率等性能进行表征。结果表明,经过真空退火工艺处理的ZAO薄膜,在380nm波长附近处的最高透过率为92”％”,最低电阻率为5.63×10-4Ω·cm。

关键词： 磁控溅射 真空退火 电阻率 光透过率 薄膜性能 表面形貌

作者: 孙彦华 席慧智 姬存国

作者单位: 哈尔滨工程大学 材料科学与化学工程学院,哈尔滨 150001

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国高校金相与显微分析学术年会

会议地点: 桂林

会议语种:中文

页码: 138-140

在线出版日期: 2009-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）