湿法刻蚀对ZnO:Al透明导电薄膜结构与性能的影响
室温直流磁控溅射Al2O3掺杂3wt”％”的ZnO靶材制备了厚度～1μm,结晶度高、表面平整光滑的ZnO:Al透明导电薄膜。研究盐酸、王水和草酸溶液对ZnO:Al薄膜的湿化学刻蚀行为,分析刻蚀对薄膜微观结构、光刻图案、电学和光学性能的影响。研究结果表明,刻蚀对薄膜的结晶取向性无影响,经盐酸、王水和草酸刻蚀后薄膜的电阻率略有增大,从7.4mΩ·cm分别增大到8.7、8.8和8.6mΩ·cm,透光率略有下降,从80”％”分别下降到76”％”、77”％”和78”％”。0.5”％”的盐酸刻蚀可以获得结构良好的陷光结构。 薄膜在盐酸中刻蚀速率快,易产生浮胶。在草酸中刻蚀图案清晰,但存在残留。在王水中刻蚀图案清晰且无残留。
湿法刻蚀 透明导电薄膜 直流磁控溅射 微观结构 光学性能 陷光结构
许积文 王华 杨玲 任明放
桂林电子科技大学 材料科学与工程学院 广西 桂林 541004
国内会议
桂林
中文
281-285
2009-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）