合成工艺对高岭石/纳米银插层复合物结构的影响

摘要：

利用高岭石特殊的纳米级层间域环境,以插层率为96.42”％”的高岭石/二甲基亚砜(DMSO)插层复合物为前驱体,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为分散剂,采用化学还原插层法和水热插层法制备高岭石,纳米银插层复合物。通过XRD,FTIR,TEM分析测试方法,考察了合成工艺对高岭石,纳米银插层复合物结构的影响。XRD和FTIR的分析证实DMSO成功插入高岭石层间,为纳米银在高岭石层间的生成提供了一个非常必要的条件;采用水热插层法合成出的纳米银结晶度较化学还原插层法高;TEM图像显示,采用两种合成工艺得到的金属银粒径都在纳米尺度范围内,但化学还原插层法合成的高岭石/纳米银插层复合物中纳米银有团聚现象,粒径较不均匀,而水热插层法合成的复合物中纳米银粒径均匀,分散状况良好。

关键词： 高岭石 纳米银 插层复合物 水热插层法 复合物

作者: 何学军 谢襄漓 杜一挺 王林江

作者单位: 有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室,广西 桂林 541004 桂林理工大学 材料科学与工程学院,广西 桂林 541004 桂林理工大学 化学与生物工程学院,广西 桂林 541004 桂林理工大学 材料科学与工程学院,广西 桂林 541004

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国高校金相与显微分析学术年会

会议地点: 桂林

会议语种:中文

页码: 306-310

在线出版日期: 2009-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）