过电流状态下铜导体特征的AES研究

摘要：

利用俄歇电子能谱仪(AES)对不同时间过电流下的铜导体进行了深度刻蚀,结果表明在不同时间过电流下的铜导体样品表面都含有Cu、O、C、N、Cl等元素,且随着刻蚀时间的增加,样品中C、O原子百分比值逐渐降低,且过电流时间越长的样品,C、O原子百分比曲线下降的越平缓:以溅射时间为Os和30s时的原子百分比值之差来表示曲线的斜率,C、O原子百分比曲线的斜率都逐渐减小;在同一深度下,不同过电流时间样品所含原子的分布规律相同,即C”％”>O”％”>Cl”％”。

关键词： 过电流 俄歇电子能谱 深度刻蚀 铜导体

作者: 刘术军 邸曼 于丽丽 赵长征 高伟

作者单位: 公安部沈阳消防研究所 火场勘验与物证鉴定公安部重点实验室,辽宁 沈阳 110034

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国高校金相与显微分析学术年会

会议地点: 桂林

会议语种:中文

页码: 452-455

在线出版日期: 2009-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）