电子封装用AlSiC材料的气密性研究

摘要：

气密性是多芯片集成封装组件(MCM)的关键指标之一。AlSiC材料因具有优异性能常被用于封装组件的结构部件，在气密性检漏时存在氦气吸附特性，对组件的气密性质量存在干扰。本文研究了镀层厚度及体系对减弱AlSiC构件吸附及提高封装组件气密性的控制技术，增加镀层厚度能有效减弱AlSiC构件吸附，在镀20μmNi时，AlSiC构件的吸附问题不存在，从而能够有效控制MCM的气密性。

关键词： 电子封装 气密性 多芯片集成封装组件 AlSiC材料 镀层厚度

作者: 许立讲 李孝轩 朱小军 禹胜林 刘刚

作者单位: 南京电子技术研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009中国高端SMT学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 708-713

在线出版日期: 2009-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）