内在边缘场结构的VA显示模式研究

摘要：

提出一种全新的像素结构，通过适当的版图设计，实现相邻子像素的液晶电容的极性是相反的，以此获得畴分布对称的液晶分子预倾，从而实现广视角。并提出了适合小尺寸屏幕使用的行反转驱动模式的设计方案。模拟结果表明本设计的显示效果良好。

关键词： VA显示模式 内在边缘场 像素结构 显示效果

作者: 吴天一 马骏 罗熙曦 凌志华

作者单位: 上海天马微电子有限公司 上海 201201

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010中国平板显示学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 11-17

在线出版日期: 2010-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）