会议专题

P型掺杂有机发光器件界面电荷研究

采用C-V测量对OLED有机/有机界面电荷进行了研究,通过有机层厚度、测量频率对OLED转变电压的影响,研究了OLED有机/有机界面电荷的变化,以及p型掺杂对OLED有机/有机界面电荷的影响,结果表明,掺杂体系介电常数的增加引起器件起始电容的增加;空穴传输层的高载流子浓度将影响器件电容的转变电压以及空穴注入的起始电压,并降低器件有机/有机界面的负电荷浓度。

有机发光器件 界面电荷 介电常数 P型掺杂体 C-V测量

张勇 曹进 魏斌 刘记忠 廖英杰

上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海 200072

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176-179

2010-03-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)