PMMA介质层IZO-TFT的制备和研究

摘要：

利用有机介质层制各项栅结构的氧化铟锌薄膜晶体管(IZO-TFT)。由直流反应磁控溅射法室温沉积IZO沟道层，浸渍提拉法制备聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)介质层，热蒸发法制备Al电极。所制备的IZO-TFT饱和迁移率为7.67 cm2V-1s-1，介质层/沟道层表面平整，可见光区平均透射率高于85％，在平板显示和柔性电子学方面具有潜在的应用前景。

关键词： 薄膜晶体管 氧化铟锌薄膜 PMMA介质层 浸渍提拉法 制备工艺

作者: 冯佳涵 张群

作者单位: 复旦大学材料科学系,上海,200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010中国平板显示学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 300-303

在线出版日期: 2010-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）