高性能ZnO薄膜晶体管的室温射频磁控溅射制备
在室温下以射频磁控溅射法制备了一系列沟道宽长比且性能优良的ZnO TFT器件。有源层的沉积采用粉末靶及经过优化的溅射参数，以Al薄膜为栅和源、漏电极，以Al2O3薄膜为介质。获得多数器件的饱和迁移率在0.1-10 cm2/Vs数量级。其中一个较好器件的饱和迁移率为10.6cm2/Vs，阈值电压为3.6V，开关比大于1.5×105，关态电流小于5.3×1010，亚阈值斜率约1.0V/dec。研究还发现，饱和迁移率随沟道宽长比的增加而减小，源漏电流随时间呈指数衰减。
ZnO薄膜晶体管 磁控溅射 溅射参数 粉末靶 场致迁移率
林明通 朱文清
上海大学-广电电子平板显示技术联合工程技术中心,上海,200072
国内会议
上海
中文
304-307
2010-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）