基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管

摘要：

在事温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管，氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49∶49∶2。所制备的器件场致迁移率达到9.8cm2/Vs，开关比大于105，亚阈值摆幅0.61V/dec。和未掺Ti器件的比较表明，掺Ti能使器件阈值正向变化，对场致迁移率也有提高作用。

关键词： 薄膜晶体管 氧化锌 氧化铟 氧化钛 半导体材料 场致迁移率

作者: 姚绮君 李曙新 张群

作者单位: 复旦大学材料科学系,上海,200433 天马微电子股份有限公司,深圳,518118 天马微电子股份有限公司,深圳,518118 复旦大学材料科学系,上海,200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010中国平板显示学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 308-311

在线出版日期: 2010-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）