基于PECVD SiNx绝缘层和廉价的Cu为电极的并五苯薄膜晶体管性能研究

摘要：

本文成功地制备了基于PECVD SiNx绝缘层和廉价的Cu为漏、源电极的并五苯薄膜晶体管，通过转折特性曲线得出器件的饱和迁移率为饱和迁移率为0.29 cm2/Vs，阈值电压为-8.4V，开关比为5.3×106。用原子力显微镜表征了SiNx与并五苯的表面形貌。并发现制备的并五苯晶体管性能优越，这主要是由于SiNx绝缘层的表面非常平滑且并五苯有较小的晶粒缺陷态。可见，基于PECVDSiNx绝缘层和廉价的Cu为漏、源电极的有机薄膜晶体管对实现大面积、廉价的晶体管有着重要的意义。

关键词： 薄膜晶体管 绝缘层 转折特性曲线 表面形貌

作者: 李俊 蒋雪茵 张小文 张良 张浩 林华平 张志林

作者单位: 上海大学材料科学与工程学院,上海 201800 上海大学新型显示与技术及应用集成教育部重点实验室 上海大学材料科学与工程学院,上海 201800 上海大学新型显示与技术及应用集成教育部重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010中国平板显示学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 312-315

在线出版日期: 2010-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）