有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管

摘要：

本实验利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜，薄膜表面平整；采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层，室温成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明薄膜晶体管具有饱和特性且显示耗尽工作模式。薄膜晶体管的阈值电压为3.8 V，迁移率为25.4 cm2V-1s-1，开关比为106。这说明可以在低温条件下制备有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管。

关键词： 薄膜晶体管 有机介质层 铟锌氧化物 磁控溅射 玻璃基板

作者: 李桂锋 冯佳涵 周俊 张群

作者单位: 复旦大学材料科学系,上海,200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010中国平板显示学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 320-323

在线出版日期: 2010-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）