基于N-Si-Nb薄膜的表面传导电子发射

摘要：

本文提出溅射一种三元N-Si-Nb薄膜作为表面传导电子发射的导电薄膜，通过改变溅射的工艺参数能很好地控制导电薄膜的电阻，有利于获得满足后续电形成工艺要求的导电薄膜。实验结果表明，N-Si-Nb薄膜是一种潜在的表面传导电子发射导电薄膜。

关键词： 表面传导 电子发射 N-Si-Nb薄膜 工艺参数

作者: 熊斯梁 史彦慧 宋忠孝 吴胜利 张劲涛

作者单位: 西安交通大学 电子物理与器件教育部重点实验室,陕西 西安 710049 西安交通大学 金属材料强度国家重点实验室,陕西 西安 710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010中国平板显示学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 470-473

在线出版日期: 2010-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）