纳米裂缝位置可控的尖端结构表面传导电子发射导电薄膜

摘要：

本文提出了一种新型尖端结构表面传导电子发射导电薄膜，此结构电子发射导电薄膜在中间部位因尖端结构的存在而最窄，在纳米级裂缝电形成工艺过程中电流流过时会在尖端附近产生热应力集中，从而容易导致纳米级裂缝在导电薄膜中间部位形成。实验结果表明，新型导电薄膜结构可以实现纳米级裂缝的可控形成，有利于改进表面传导电子发射的均匀性。

关键词： 尖端结构 导电薄膜 电子发射 纳米级裂缝

作者: 赵令国 熊斯梁 吴胜利 张劲涛 胡文波

作者单位: 西安交通大学 电子物理与器件教育部重点实验室,陕西 西安,710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010中国平板显示学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 482-485

在线出版日期: 2010-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）