Co掺杂CdSe薄膜电极的制备及其光电催化降解有机废水
采用脉冲电流沉积法在ITO(氧化锡铟)导电玻璃上制备了掺杂Co的CdSe薄膜电极,通过考查电沉积的峰电流密度和平均电流密度以及电极的开路电压和短路电流,确定了镀膜的最佳工艺条件:Co的掺杂量为0.5×10-3mol·L-1、pH为1.5、占空比为1s:3s、循环次数为600次、所加电压为-1.3V。使用该电极分别对二硝基苯胺及对硝基苯酚模拟废水进行光电催化降解实验,实验条件为初始浓度20mg·L-1的二硝基苯胺和对硝基苯酚各100 mL,支持电解质NaSO40.1 mol·L-1,施加阳极偏压0.6V,采用150W卤钨灯照射6 h。并研究了不同基底上掺Co的CdSe薄膜电极对这两种有机废水的光电催化降解,发现镍板上沉积的Co-CdSe薄膜降解率最高:二硝基苯胺达52.8%,对硝基苯酚达81.1%。
CdSe薄膜 钴掺杂 脉冲电沉积 二硝基苯胺 对硝基苯酚 光电催化 有机废水处理
张瑞蓉 姚秉华 王爽 吴薇
西安理工大学 应用化学系 陕西 西安 710054
国内会议
西安
中文
97-107
2009-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)